High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN

Gwen Rolland; Christophe Rodriguez; Guillaume Gommé; Abderrahim Boucherif; Ahmed Chakroun; Meriem Bouchilaoun; Marie Clara Pepin; Faissal El Hamidi; Soundos Maher; Richard Arès; Tom MacElwee; Hassan Maher

LAPSE

Living Archive for Process Systems Engineering

LAPSE:2023.34148

Published Article

LAPSE:2023.34148

High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN

Gwen Rolland, Christophe Rodriguez, Guillaume Gommé, Abderrahim Boucherif, Ahmed Chakroun, Meriem Bouchilaoun, Marie Clara Pepin, Faissal El Hamidi, Soundos Maher, Richard Arès, Tom MacElwee, Hassan Maher

April 25, 2023

In this paper is presented a Normally-OFF GaN HEMT (High Electron Mobility Transistor) device using p-doped GaN barrier layer regrown by CBE (Chemical Beam Epitaxy). The impact of the p doping on the device performance is investigated using TCAD simulator (Silvaco/Atlas). With 4E17 cm−3 p doping, a Vth of 1.5 V is achieved. Four terminal breakdowns of the fabricated device are investigated, and the origin of the device failure is identified.

Record ID

LAPSE:2023.34148

Keywords

CBE, HEMT, normally-OFF, P-GaN

Subject

Other

Suggested Citation

Rolland G, Rodriguez C, Gommé G, Boucherif A, Chakroun A, Bouchilaoun M, Pepin MC, El Hamidi F, Maher S, Arès R, MacElwee T, Maher H. High Power Normally-OFF GaN/AlGaN HEMT with Regrown p Type GaN. (2023). LAPSE:2023.34148

Author Affiliations

Rolland G: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada [ORCID]
Rodriguez C: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
Gommé G: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
Boucherif A: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
Chakroun A: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
Bouchilaoun M: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
Pepin MC: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
El Hamidi F: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
Maher S: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
Arès R: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada
MacElwee T: GaNSystems Inc., 1145 Innovation, Ottawa, ON K2K 3G8, Canada
Maher H: Institut Interdisciplinaire d’Innovation Technologique (3IT), Université de Sherbrooke, 2500 Bd. de l’Université, Sherbrooke, QC J1K 2R1, Canada [ORCID]

Journal Name

Energies

Volume

14

Issue

19

First Page

6098

Year

2021

Publication Date

2021-09-24